ກ່ຽວກັບ ພວກເຮົາ - CHG

• ພາບລວມ ແລະ ມໍລະດົກ

• ທີມງານ ແລະ ພະລັງງານດ້ານການຄົ້ນຄວ້າ ແລະ ພັດທະນາຂອງພວກເຮົາ

• ຄວາມໄດ້ປຽບຂອງພວກເຮົາ

• ດາວໂຫລດ

ຜະລິດຕະພັນ

• ການເຄືອບ CVD

  • ຕົວອ່ອນ wafer epi graphite ດຽວ
  • CVD SiC coating wafer susceptor
  • SiC coating Graphite Barrel Suceptor
  • ການເຄືອບ CVD SiC ພາກສ່ວນ graphite ເຄິ່ງວົງເດືອນ
  • TaC coated halfmoon parts ສໍາລັບ LPE
  • TaC Planetary Epi Susceptor
  • ແຫວນຄູ່ມືການເຄືອບ CVD TaC
  • ແຫວນ TaC ທີ່ມີຮູຂຸມຂົນ
  • SiC Coated graphite heater ສໍາລັບ MOCVD
  • Pyrolytic Graphite Coated Crucible
  • CVD SiC susceptor wafer ດຽວ
  • Semixlab Glassy carbon coated substrate graphite
  • TaC coated graphite heater
  • ຜູ້ຖື Wafer Coated SiC
  • MOCVD SiC ເຄືອບ Graphite Susceptor
  • SiC Coated Wafer Susceptor
  • SiC Coated Collector Top ສໍາລັບ Aixtron
  • SiC Coated Set Disc
  • SiC coated wafer susceptor
  • SiC Plate ສໍາລັບ ICP Etching
  • TaC Coated Ring ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Crystal
  • TaC ເຄືອບ graphite porous
  • ແຜ່ນຫມຸນທີ່ເຄືອບ TaC
  • Crucible ເຄືອບ Tantalum Carbide
  • TaC Coated LED epi susceptor
  • PYC ເຄືອບ Graphite Rings
  • ແຫວນຄູ່ມືການເຄືອບ TaC
  • SiC coated Graphite Holder ສໍາລັບ ICP
  • SiC coated Graphite Susceptor
  • ແຜ່ນປົກຫຸ້ມດ້ວຍກຣາຟຕີ້ taC
  • TaC ເຄືອບ graphite ring
  • ຖາດລອຍນໍ້າທີ່ເຄືອບ TaC ຂະໜາດ 8 ນິ້ວສຳລັບ SiC Epitaxy
  • Customized sic coated wafer susceptor
  • SiC Coated Epitaxial Susceptor ສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ Wafer
  • Tantalum Carbide ເຄືອບ Graphite Susceptor
  • SiC Coated Graphite Carrier ສໍາລັບ Solar Wafer
  • TaC ເຄືອບ Porous Graphite Plate
  • ແຜ່ນ 8 ນິ້ວ TaC ເຄືອບ Graphite ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວ Epitaxial
  • SiC coated Graphite Satellite cover ສໍາລັບ MOCVD
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ 6 ນິ້ວ TaC coated graphite
  • Porous TaC ເຄືອບ Graphite Ring
  • ແຫວນ graphite ເຄືອບ SiC 8 ນິ້ວສໍາລັບ SiC Epitaxy
  • Trisection TaC ເຄືອບ graphite ring ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ sic
  • LPE SiC EPI Halfmoon
  • SiC Coated Upper Graphite Barrel ສໍາລັບ SiC Epitaxy
  • SiC Carrier Plate ສໍາລັບ LED Etching
  • TaC coated Graphite Susceptor ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວ Epitaxial LED
  • SiC coated porous graphite disk ສໍາລັບ Si epitaxy
  • LED Epitaxy Susceptor
  • ຖາດ Graphite Coating Silicon Carbide
  • ແຜ່ນຮອງພື້ນທີ່ເຄືອບ TaC
  • SiC Coated Cover Segment
  • SiC Coated Epitaxial Susceptor
  • SiC Coated Graphite Barrel Susceptor
  • Pyrolytic Graphite Crucible
  • ຖ້ວຍເຄືອບ TaC ສຳລັບການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ
  • ແຜ່ນແກຣໄຟທ໌ເຄືອບດ້ວຍ TaC ທີ່ມີຮູພຸນ ສຳລັບການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກດຽວຂອງ SiC
  • ແຫວນປະທັບຕາແກຣໄຟທ໌ເຄືອບ TaC
  • ຕົວຮັບດາວເຄາະເຄືອບ SiC
  • ວົງແຫວນປ້ອງກັນການເຄືອບ TaC
  • ທໍ່ເຄືອບ TaC ສຳລັບການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ SiC ດຽວ
  • ຝາປິດເຄືອບ Tantalum Carbide TaC
  • ຕົວຮັບການຫມຸນທີ່ເຄືອບດ້ວຍ TaC
  • ເຊວເວເຟີເຄືອບ TaC
  • ເພດານເຄືອບ SiC CVD
  • ຕົວຮັບ MOCVD ທີ່ມີການເຄືອບ TaC
  • ຕົວຮັບຄວາມອ່ອນໄຫວ Epi ເຄືອບ SiC
  • ຕົວຮັບແສງ LED UV ເລິກທີ່ເຄືອບດ້ວຍ TaC
  • ວົງແຫວນເຄືອບ TaC ສຳລັບເຄື່ອງປະຕິກອນ SiC Epitaxial
  • ອົງປະກອບເພດານ Aixtron G5
  • ຕົວຮັບຄວາມຮ້ອນທີ່ລື່ນໄວ
  • ແຜ່ນຫມູນວຽນເຄືອບ TaC
  • ຕົວຮັບແສງ VEECO LED EPI
  • ແຜ່ນ Graphite 8 ນິ້ວ ສຳລັບ SiC Epitaxy
  • ວົງແຫວນເວເຟີເຄືອບ TaC ສຳລັບ SiC Epitaxy
  • ຕົວຮັບດາວເຄາະ ALD
  • ຊິ້ນສ່ວນແກຣໄຟທ໌ເຄິ່ງວົງເດືອນເຄືອບ SiC
  • ຕົວຮັບການແກະສະຫຼັກ ICP ເຄືອບ SiC
  • ຕົວຮັບແສງ UV LED Epi
  • SiC Coated Pancake Susceptor ສໍາລັບ LPE PE3061S
  • ຮອງຮັບການເຄືອບ SiC ສຳລັບ LPE PE2061S
  • ແຜ່ນດ້ານເທິງເຄືອບ SiC ສຳລັບ LPE PE2061S
  • ແຜ່ນກັ້ນເຄືອບ SiC CVD
  • ຫົວສີດເຄືອບ SiC CVD
  • ຖັງກຣາໄຟດ CVD SiC
  • ແຜ່ນຮອງຮັບຖານເຄືອບ TaC
  • ທາລຳຄາໄບຣດ໌ທີ່ມີຮູພຸນ TaC
  • ຕົວຮັບກຣາໄຟທ໌ເຄືອບ CVD SiC ສຳລັບ MOCVD Epitaxy
  • ອົງປະກອບເຄິ່ງດວງຈັນເຄືອບ SiC
  • ເຮືອເວເຟີເຄືອບ CVD SiC ສຳລັບການຜຸພັງ ແລະ ການແຜ່ກະຈາຍ
  • ຕົວຍຶດເວເຟີ CVD SiC
  • ຕົວຮັບນ້ຳໜັກ Epitaxy ເຄືອບ GaN / GaAs CVD SiC
  • ຊິ້ນສ່ວນຄວາມຮ້ອນ Graphite ສຳລັບສະໜາມຄວາມຮ້ອນທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ
  • ແຫວນກຣາໄຟທີ່ເຄືອບດ້ວຍຄາບອນໄພໂຣໄລຕິກ
  • ຫົວຝັກບົວເຄືອບກຣາບໄຟ CVD SiC
  • ແຫວນກຣາໄຟທ໌ເຄືອບ PG
  • ທໍ່ເຕົາອົບເຄືອບ CVD sic
  • ຕົວນຳແຜ່ນເວເຟີເຄືອບ SiC CVD

• ເຊລະມິກເຊມິຄອນດັກເຕີ

  • ທ່ອນແລະຊິ້ນສ່ວນແຫຼ່ງ CVD-SiC ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • 0200-10243 ວົງແຫວນເງົາ 150 ມມ
  • ວົງແຫວນໂຟກັດ SiC ແຂງ CVD
  • Porous ceramic vacuum chuck
  • Silicon Carbide Cantilever Paddle
  • Silicon Carbide Ceramic Wafer Boat
  • ອາບນ້ໍາ quartz semiconductor
  • ເຮືອ wafer quartz semiconductor
  • ທໍ່ furnace ການແຜ່ກະຈາຍ quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ເຮືອ wafer quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • Etching Focus ring
  • ເຮືອບັນທຸກ quartz wafer
  • ເຍື່ອເຊລາມິກ SiC
  • ເຮືອ SiC Wafer ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • SiC Furnace Tube
  • ເຮືອ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ທໍ່ furnace Silicon Carbide
  • ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ SiC ແຂງ
  • ກະປຸກ Quartz Bell
  • ແຫວນຂອບ SiC ແຂງ
  • ວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ AMAT ແຫວນ quartz
  • ເຮືອເຊລາມິກ SiC
  • ທໍ່ກະຈາຍ Quartz
  • ເຮືອ SiC Wafer
  • ທໍ່ Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • SiC Cantilever Paddles
  • ແຜ່ນປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນ Quartz
  • SiC Ceramic Graphite Heater
  • SiC cantilever paddle
  • ຫນ້າຈໍ Quartz ສໍາລັບ MOCVD
  • ເຄື່ອງບັນຈຸ wafer quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • Quartz Disk ສໍາລັບຂະບວນການ Semiconductor
  • ເຮືອ wafer quartz ທີ່ກໍາຫນົດເອງ
  • ເຮືອ Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ wafer
  • Opaque quartz ວົງແຫວນ
  • flange Quartz ສໍາລັບຂະບວນການ semiconductor
  • ເຮືອ Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບ Silicon Wafer
  • Semiconductor Quartz ກະດິ່ງ
  • ທໍ່ furnace sic sintered ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ຄວາມບໍລິສຸດສູງ Fused Quartz Window
  • ຖັງ Quartz ສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ Wafer
  • Crucible Quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບການລະລາຍ
  • ເຮືອ Quartz ສໍາລັບການແຜ່ກະຈາຍຂອງການປຸງແຕ່ງ wafer
  • SiC Edge Ring ສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ Wafer
  • Semiconductor Fused Quartz Boat
  • Silicon Carbide Sic Porous Ceramic Disc
  • Wafer Transfer End Effector
  • ທໍ່ກະຈາຍ quartz ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • Solid SiC Focus Ring ສໍາລັບ Etching
  • Semiconductor quartz wafer
  • Semiconductor Quartz Flow Baffle
  • SiC Ceramic Crucible
  • Customized Quartz Wafer Carrier
  • ແຜ່ນ SiC carrier disk ສໍາລັບ ICP Etching
  • ເຍື່ອເຊລາມິກ SiC
  • SiC Ceramic ແຂນຫຸ່ນຍົນ
  • ແຫວນ quartz semiconductor
  • ວົງແຫວນໂຟກັສ CVD SiC
  • Quartz Ignition Tube
  • ແຫວນປະທັບຕາ SSiC
  • ວົງແຫວນໂຟກັດ SiC ແຂງ
  • ຫົວຝັກບົວອາຍແກັສ SiC ແຂງ
  • ຕູ້ຂົນສົ່ງເຮືອ Quartz
  • ການຈຳໜ່າຍອາຍແກັສ Super E
  • ວົງແຫວນ Quartz Shadow 200 ມມ
  • ແຫວນ Quartz Top
  • ໄສ້ 150 ມມ Sputter Etch
  • ฐานรองฉนวน Quartz 300 ມມ
  • ເວເຟີຟິມບາງ piezoelectric PZT
  • ເວເຟີ Piezoelectric PZT
  • ການແຍກອາຍແກັສຊັ້ນເທິງຂອງ Liner Quartz
  • ແຫວນ Quartz 150 ມມ
  • ໄສ້ Quartz ທີ່ມີຄວາມໂປ່ງໃສສູງ ແລະ Shutter ສຳລັບ MOCVD
  • 0200-09911 ແຫວນປົກ Quartz
  • ວົງແຫວນ Quartz Shadow 200 ມມ
  • ຕົວປັບແຫຼ່ງທີ່ມາ 300 ມມ ຕົວກັນຄວາມຮ້ອນເຊລາມິກ
  • ວັດສະດຸ SiC CVD ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • 0200-15699 ວົງແຫວນຕໍ່ສາຍດິນ Quartz insulator
  • 0200-09977 ຝາປິດ Quartz ຂະໜາດ 200 ມມ
  • ເຮືອ SiC Wafer ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • 0200-09074 ປ່ອງຢ້ຽມເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ Quartz
  • 0200-10073 ວັດສະດຸກັນຄວາມຮ້ອນ Quartz 200 ມມ
  • 0200-10246 Quartz GDP (ແຜ່ນແຈກຢາຍອາຍແກັສ)
  • ເຄື່ອງກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ CVD Diamond
  • 0200-36680 ຊັ້ນລະບາຍອາຍແກັສດ້ານເທິງ
  • 0200-36682 ລະບົບແຍກອາຍແກັສຊັ້ນລຸ່ມ Liner Quartz
  • 0200-04877 ແຫວນເຊລາມິກອັນດຽວ
  • 0200-06508 ແຜ່ນປ້ອງກັນເຊລາມິກດ້ານເທິງ 300 ມມ
  • 0200-35223 ແຫວນເຊລາມິກ
  • ກະໂປງລອຍນ້ຳວົງແຫວນເຊລາມິກ 0200-09721
  • 0200-10377 ວົງແຫວນດ່ຽວ 195 ມມ DPS Chamber
  • ແຜ່ນກະຈາຍອາຍແກັສ 0020-31624
  • 0200-06508 ຝາປິດເຊລາມິກ 300 ມມ
  • ວົງແຫວນໜີບ 0200-15001
  • ວົງແຫວນໃສ່ SiC 0200-21111
  • ເຊລາມິກວົງແຫວນດຽວ 0200-04877
  • ແຫວນເຊລາມິກ 0200-07528
  • ຊັ້ນໃນເຊລາມິກດ້ານເທິງ 0200-04654
  • ເຄື່ອງດູດຝຸ່ນເຊລາມິກທີ່ມີຮູພຸນສຳລັບແຜ່ນເວເຟີ
  • ฐานรองควอตซ์ 150 ມມ 0200-09734
  • Semiconductor Quartz Heat Shield

• Semiconductor ຄາບອນ

  • ຜ້າສັກອ່ອນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • Porous graphite
  • ຄວາມບໍລິສຸດສູງ Isostatic Graphite
  • ຄວາມບໍລິສຸດສູງ graphite rigid ຮູ້ສຶກ
  • ຄວາມບໍລິສຸດສູງ graphite ຮູ້ສຶກອ່ອນ
  • ເຮືອ PECVD Graphite ສໍາລັບ PV
  • Porous Graphite ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ SiC Crystal
  • CFC pallet ສໍາລັບ photovoltaic
  • ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນ Graphite
  • graphite isostatic ຄວາມບໍລິສຸດສູງສໍາລັບ semiconductors
  • SiC Coated Isostatic Graphite Crucible
  • Crucible ກາກບອນ Carbon Composite
  • Rigid Graphite ຮູ້ສຶກ
  • ວັດສະດຸປະສົມກາກບອນ-ຄາບອນ
  • ຜ້າກຣາໄຟທ໌ອ່ອນ
  • ຊິ້ນສ່ວນກຣາໄຟທ໌ພາກສະໜາມຄວາມຮ້ອນ
  • ແຖບກຣາໄຟທ໌ທີ່ອີ່ມຕົວ
  • ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນ Graphite
  • ແຫວນປະທັບຕາກຣາໄຟດໄອໂຊສະແຕຕິກທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ຜ້າກຣາໄຟທ໌ອ່ອນຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີ
  • ແກຣໄຟທ໌ທີ່ມີຮູພຸນຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ຖ້ວຍກາໄຟທ໌ສາມກີບ
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນກຣາໄຟດເຂດຮ້ອນ
  • ເຮືອກຣາໄຟດ PECVD ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ແກຣໄຟທ໌ທີ່ມີຮູພຸນຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ Graphite Isostatic ຄວາມບໍລິສຸດສູງ

• ອຸປະກອນການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor

  • PSPI ທົນທານຕໍ່ polyimide ທີ່ມີຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ການຖ່າຍຮູບ
  • ArF Photoresist ວັດສະດຸສໍາລັບການ Photolithography
  • CMP ຂັດຂັດ

• ເຕັກໂນໂລຢີ ໃໝ່

  • 3C-SiC Wafer
  • SiC ວັດຖຸດິບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ
  • ເວເຟີ Epitaxial 3C-SiC

• ອຸປະກອນເຄິ່ງຕົວນຳ

  • ເຕົາເຜົາຜລຶກ SiC ທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂະໜາດໃຫຍ່
  • ເຕົາອົບຮ້ອນດູດຝຸ່ນສຳລັບການຜູກມັດເມັດພັນໄປເຊຍກັນ SiC

ຂ່າວ - HUASHIL

• ຂ່າວບໍລິສັດ

  • ຄວາມກ້າວໜ້າດ້ານກຳລັງການຜະລິດ: ຖານການຜະລິດໃໝ່ 80,000 ຕາແມັດ ໄດ້ຮັບການຍົກລະດັບເພື່ອຍົກລະດັບຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດການເຄືອບຂັ້ນສູງຂອງ Semixlab
  • ການອັບເດດຈຸດສຳຄັນ: ໂຮງງານໃໝ່ຂອງ Semixlab ເຂົ້າສູ່ໄລຍະຫ້ອງສະອາດ - ການຍ້າຍອຸປະກອນຍັງຢູ່ໃນຂັ້ນຕອນຕໍ່ໄປໃນທ້າຍປີ
  • ວັດສະດຸທີ່ມີນະວັດຕະກໍາສ້າງຄວາມເຂັ້ມແຂງໃຫ້ແກ່ອະນາຄົດສີຂຽວ: Semixlab ມີສ່ວນຮ່ວມຢ່າງເລິກເຊິ່ງໃນງານວາງສະແດງ SNEC 2026 PV Expo, ນໍາພາອຸດສາຫະກໍາດ້ວຍເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບຫຼັກ
  • ຕົວອ່ອນ graphite ແມ່ນຫຍັງ?
  • ຊິລິຄອນຄາໄບໄຊໃຊ້ເພື່ອຫຍັງ?
  • ການເຄືອບ TaC ແມ່ນຫຍັງ?
  • PECVD ແມ່ນຫຍັງຢູ່ໃນຈຸລັງແສງຕາເວັນ?
  • Semixlab ເປີດຕົວໃນງານ SNEC 2025 Photovoltaic Exhibition, ຄົ້ນຫານະວັດຕະກໍາວັດສະດຸກັບຍັກໃຫຍ່ photovoltaic ທົ່ວໂລກ
  • ການລົງເລິກການຮ່ວມມື ແລະ ການປະດິດສ້າງທີ່ກ້າວໜ້າ — ຄູ່ຮ່ວມງານທີ່ມີຄຸນຄ່າຢ້ຽມຢາມ Semixlab Semiconductor
  • LED Epitaxy Susceptor ແມ່ນຫຍັງ?
  • ເທກໂນໂລຍີ Semixlab ປະສົບຜົນສໍາເລັດໃນການສະແດງນະວັດຕະກໍາທີ່ SEMICON Europa 2025
  • Pyrolytic Graphite ແມ່ນຫຍັງ?
  • ງານວາງສະແດງ SEMICON ຈີນ 2026: Semixlab ສະເໜີນະວັດຕະກໍາການເຄືອບ SiC ແລະ TaC ສຳລັບ Epitaxy ຂອງເຄື່ອງເອເລັກໂຕນິກ
  • ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງຕົວຮັບແສງກຣາໄຟທີ່ເຄືອບດ້ວຍຊິລິກອນຄາໄບ SiC ໃນ Epitaxy ຂັ້ນສູງ

• ບລັອກ

FAQ

ຕິດ​ຕໍ່​ພວກ​ເຮົາ