ຕົວຮັບແສງ UV LED Epi

ເຄື່ອງ UV LED Epi Susceptor ເປັນອົງປະກອບຂະບວນການທີ່ສຳຄັນໃນການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ຂອງໄຟ LED ultraviolet. ສະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງ, ປະລິມານອາລູມິນຽມສູງ, ແລະ ປ່ອງຢ້ຽມຂະບວນການທີ່ແຄບ ກຳນົດຄວາມຕ້ອງການທີ່ທ້າທາຍຫຼາຍຕໍ່ການອອກແບບວັດສະດຸ ແລະ ໂຄງສ້າງ. ໃນລະບົບການວາງໄອນ້ຳເຄມີອິນຊີໂລຫະ (MOCVD) ສຳລັບການຜະລິດໄຟ LED UV ທີ່ອີງໃສ່ AlN ແລະ AlGaN, ຊັ້ນຮອງພື້ນເຮັດໜ້າທີ່ເປັນຕົວເຊື່ອມຕໍ່ຫຼັກລະຫວ່າງສະພາບແວດລ້ອມຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນ ແລະ ແຜ່ນ epitaxial, ເຊິ່ງມີອິດທິພົນໂດຍກົງຕໍ່ຄວາມສະເໝີພາບຂອງອຸນຫະພູມ, ຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງການໄຫຼຂອງອາຍແກັສ, ແລະ ຄຸນນະພາບຂອງຊັ້ນ epitaxial ໂດຍລວມ.

ເຄື່ອງ UV LED Epi Susceptor ໃຊ້ແກຣໄຟດ໌ເກຣດເຄິ່ງຕົວນຳເປັນຊັ້ນຮອງພື້ນ, ປົກປ້ອງດ້ວຍການເຄືອບຊິລິກອນຄາໄບ (SiC) ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຖືກອອກແບບມາເພື່ອການເຮັດວຽກທີ່ໜ້າເຊື່ອຖືພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ການກັດກ່ອນຂອງການເຕີບໂຕຂອງ UV LED epitaxial. ຊັ້ນຮອງພື້ນແກຣໄຟດ໌ສະເໜີໃຫ້ຄວາມນຳຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ ແລະ ການຕອບສະໜອງຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ, ເຮັດໃຫ້ສາມາດຄວບຄຸມອຸນຫະພູມໜ້າແຜ່ນເວເຟີໄດ້ຢ່າງແນ່ນອນໃນລະຫວ່າງການເຕີບໂຕຂອງ AlGaN ທີ່ອຸດົມດ້ວຍອາລູມິນຽມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ປະສິດທິພາບທາງຄວາມຮ້ອນນີ້ແມ່ນສຳຄັນສຳລັບການບັນລຸຄວາມໜາທີ່ເປັນເອກະພາບ, ສ່ວນປະກອບອາລູມິນຽມທີ່ຄວບຄຸມໄດ້, ແລະ ຄວາມຍາວຄື້ນທີ່ໝັ້ນຄົງໃນທົ່ວແຜ່ນເວເຟີ.

ການເຄືອບຊິລິກອນຄາໄບມີບົດບາດສຳຄັນໃນການຮັບປະກັນຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງຂະບວນການໃນໄລຍະຍາວ. ໃນສະພາບແວດລ້ອມ epitaxy LED UV ທີ່ມີລັກສະນະໂດຍອັດຕາການໄຫຼ NH₃ ສູງ ແລະ ສານຕັ້ງຕົ້ນໂລຫະອິນຊີທີ່ມີປະຕິກິລິຍາສູງ, ແກຣໄຟທີ່ບໍ່ໄດ້ຮັບການປົກປ້ອງມີຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ການສ້າງອະນຸພາກ, ແລະ ການປົນເປື້ອນ. ການເຄືອບ SiC ທີ່ໜາແໜ້ນຊ່ວຍແຍກຊັ້ນກຣາໄຟຈາກການກັດກ່ອນທາງເຄມີໂດຍກົງໄດ້ຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ຫຼຸດຜ່ອນການສ້າງອະນຸພາກ ແລະ ການລະບາຍອອກຂອງວັດສະດຸຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ ໃນຂະນະທີ່ເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ກັບວົງຈອນຄວາມຮ້ອນ ແລະ ການກັດກ່ອນທາງເຄມີ. ສິ່ງນີ້ປະກອບສ່ວນເຮັດໃຫ້ສະພາບແວດລ້ອມຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນສະອາດຂຶ້ນ ແລະ ປັບປຸງຜົນຜະລິດຂອງແຜ່ນເວເຟີ, ໂດຍສະເພາະໃນການຜະລິດໃນປະລິມານສູງ.

ໃນການຜະລິດ LED UV, ຊັ້ນຮອງພື້ນບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນຕົວນຳແຜ່ນເວເຟີເທົ່ານັ້ນ ແຕ່ຍັງເປັນປັດໄຈສຳຄັນທີ່ກຳນົດຄວາມສະເໝີພາບຂອງຄວາມຮ້ອນ ແລະ ກະແສໄຟຟ້າ. ຮູບຮ່າງເລຂາຄະນິດ ແລະ ຄຸນລັກສະນະພື້ນຜິວຂອງມັນຖືກປັບປຸງໃຫ້ດີທີ່ສຸດເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງຂອບ ແລະ ການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງສະໜັບສະໜູນການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial ທີ່ສອດຄ່ອງກັນໃນແຜ່ນເວເຟີດຽວ ຫຼື ຫຼາຍແຜ່ນ. ປະສິດທິພາບທາງຄວາມຮ້ອນທີ່ໝັ້ນຄົງ ແລະ ເຮັດຊ້ຳໄດ້ຊ່ວຍໃຫ້ການຄວບຄຸມຂະບວນການທີ່ເຂັ້ມງວດຂຶ້ນ, ເຊິ່ງມີຄວາມສຳຄັນໂດຍສະເພາະສຳລັບຄວາມຍາວຄື້ນອັນຕຣາໄວໂອເລັດທີ່ເລິກ.

ໄຟ UV LED Epi Susceptor ຖືກອອກແບບມາເພື່ອອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ຍາວນານ ແລະ ປະສິດທິພາບທີ່ໝັ້ນຄົງໃນແຕ່ລະຊຸດ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການບຳລຸງຮັກສາ ແລະ ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທັງໝົດໃນການເປັນເຈົ້າຂອງ. ການປະສົມປະສານຂອງແກນ graphite ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ ແລະ ການເຄືອບ SiC ທີ່ແຂງແຮງຊ່ວຍໃຫ້ມີຄວາມໝັ້ນຄົງດ້ານມິຕິ ແລະ ຄວາມສົມບູນຂອງພື້ນຜິວຕະຫຼອດໄລຍະການຜະລິດທີ່ຍາວນານ, ຊ່ວຍໃຫ້ໂຮງງານຜະລິດສາມາດລັອກສູດຂະບວນການທີ່ດີທີ່ສຸດ ແລະ ຮັກສາຜົນຜະລິດສູງໃນໄລຍະຍາວ.

ໃນຖານະເປັນສ່ວນໜຶ່ງຂອງຜະລິດຕະພັນສ່ວນປະກອບ epitaxial ທີ່ກ້າວໜ້າຂອງ Semixlab, ເຄື່ອງຮັບແສງ UV LED Epi Susceptor ນີ້ສະແດງເຖິງຄວາມເຂົ້າໃຈຢ່າງເລິກເຊິ່ງຂອງບໍລິສັດກ່ຽວກັບຄວາມຕ້ອງການຂອງຂະບວນການ UV LED ແລະຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງອຸປະກອນ. ມັນເໝາະສົມສຳລັບການນຳໃຊ້ epitaxial ອາລູມິນຽມໄນໄຕຣດ (AlN) ແລະ ອາລູມິນຽມແກລຽມໄນໄຕຣດ (AlGaN) ທີ່ຕ້ອງການຄວາມແມ່ນຍຳທາງຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ, ຄວາມທົນທານທາງເຄມີ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການເຮັດຊ້ຳຂະບວນການ. ໃນຖານະຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນຳຂອງຈີນຂອງເຄື່ອງຮັບແສງ UV LED Epi Susceptors ທີ່ເຄືອບ SiC, Semixlab ຍັງຄົງມຸ່ງໝັ້ນທີ່ຈະສົ່ງມອບເຕັກໂນໂລຊີທີ່ກ້າວໜ້າ ແລະ ວິທີແກ້ໄຂຜະລິດຕະພັນທີ່ກຳນົດເອງສຳລັບຂະບວນການ epitaxial LED ທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນສູງ. ພວກເຮົາຫວັງຢ່າງຈິງໃຈທີ່ຈະກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.