Porous graphite

Porous graphite ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນ PVT (ການຍົກຍ້າຍ vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ) ຊິລິຄອນ carbide (SiC) ຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ, ເປັນວັດສະດຸຫຼັກຂອງລະບົບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນອຸນຫະພູມສູງ. ຜະລິດຕະພັນແມ່ນເຮັດດ້ວຍ graphite isostatically ກົດດັນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຊິ່ງປະກອບເປັນໂຄງສ້າງ porous ທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຄວບຄຸມໄດ້ໂດຍຜ່ານເຄື່ອງຈັກ CNC ທີ່ຊັດເຈນແລະເຕັກໂນໂລຢີການຄວບຄຸມ pore, ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ດີເລີດພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂຂະບວນການທີ່ຮຸນແຮງ (2200 ℃). ການອອກແບບທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງມັນປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບການຖ່າຍທອດໄລຍະອາຍແກັສ, ເຊິ່ງເປັນການຄໍ້າປະກັນທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ.

ຄຸນ​ນະ​ສົມ​ບັດ​ຫຼັກ​ແລະ​ຂໍ້​ດີ​ຂະ​ບວນ​ການ​:

ຄວາມບໍລິສຸດທີ່ສຸດແລະອັດຕາການຜິດປົກກະຕິຕ່ໍາ

ຂະບວນການທໍາຄວາມສະອາດດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງສູນຍາກາດ (ການປິ່ນປົວ 3000 ℃) ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນເນື້ອໃນຂອງ impurities ທີ່ບໍ່ແມ່ນໂລຫະເຊັ່ນ: ອົກຊີເຈນແລະໄນໂຕຣເຈນ. ກໍາຈັດຄວາມຜິດປົກກະຕິໄປເຊຍກັນ impurity induced (ເຊັ່ນ: microtubules, dislocations) ເພື່ອຮັບປະກັນປະສິດທິພາບໄຟຟ້າຂອງໄປເຊຍກັນ SiC ດຽວ.

ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະການຄວບຄຸມພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ

ໃນສະພາບແວດລ້ອມ argon / ສູນຍາກາດ, ມັນສາມາດທົນທານຕໍ່ 2200 ℃ການດໍາເນີນງານຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຫຼາຍກ່ວາ 1000 ຊົ່ວໂມງ, ຄ່າສໍາປະສິດຕ່ໍາຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ, ແລະຫຼີກເວັ້ນການ cracking ວັດສະດຸທີ່ເກີດຈາກຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນ.

porosity ສະຫນັບສະຫນູນການອອກແບບການແຜ່ກະຈາຍ gradient, ສົມທົບກັບການຈໍາລອງ CFD ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບຂະຫນາດ pore (10-200μm), ຄວບຄຸມການແຜ່ກະຈາຍຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນຢ່າງຖືກຕ້ອງ, ຫຼຸດຜ່ອນການເຫນັງຕີງຂອງ gradient ອຸນຫະພູມ (ພາຍໃນ ± 3 ℃), ແລະປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ.

ວິທີແກ້ໄຂທີ່ ກຳ ຫນົດເອງ

ການປັບຕົວເລຂາຄະນິດ: ສະຫນັບສະຫນູນການປຸງແຕ່ງຮູບຮ່າງທີ່ຊັບຊ້ອນ (ເຊັ່ນ: crucible annular, ໄສ້ຫຼາຍຊັ້ນ), ການຈັບຄູ່ໂຄງສ້າງ furnace ລູກຄ້າ.

ການປິ່ນປົວພື້ນຜິວ: ໃຫ້ບໍລິການຂັດຫຼືການເຄືອບທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ສຸດເພື່ອເພີ່ມຄວາມທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນແລະຊີວິດການບໍລິການ.

ການກວດສອບການປະຕິບັດຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ໃນຂະບວນການ crystallization PVT SiC, ເປັນອົງປະກອບພາກສະຫນາມ crucible ແລະຄວາມຮ້ອນ:

ເພີ່ມອັດຕາການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ 15%-20% (ທຽບກັບ graphite ພື້ນເມືອງ);

ຜົນຜະລິດຂອງ wafer ເພີ່ມຂຶ້ນຫຼາຍກ່ວາ 90% (4 ນິ້ວ SiC ໄປເຊຍກັນດຽວ);

ໄລຍະເວລາບໍາລຸງຮັກສາຂອງອຸປະກອນແມ່ນຂະຫຍາຍອອກໄປເປັນ 6 ເດືອນ (ປົກກະຕິ 3 ເດືອນ).

Quick Detail:

1. ຊື່ອື່ນໆ: PVT graphite crucible, silicon carbide ການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ມີ porous graphite.

2. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ວິທີການ PVT (ວິທີການຂົນສົ່ງອາຍແກັສທາງດ້ານຮ່າງກາຍ) SiC ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວອົງປະກອບພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ.

3. ຕົວກໍານົດການຫຼັກ: ຄວາມບໍລິສຸດ≥99.9995%, porosity 15-30%, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມ 2200 ℃ (ສະພາບແວດລ້ອມອາຍແກັສ inert), ການນໍາຄວາມຮ້ອນ 100-150 W / m·K.

ການປະກອບ furnace ການຂະຫຍາຍຕົວ PVT: ເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງ SiC sublimation ວັດສະດຸແລະການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, ສະຫນອງການແຜ່ກະຈາຍພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ຫມັ້ນຄົງ.

ອົງປະກອບປ້ອງກັນພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ: ໂຄງປະກອບການ porous ປະສິດທິຜົນຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນແລະ prolongs ຊີວິດການບໍລິການຂອງອຸປະກອນ.

ວົງເລັບໄປເຊຍກັນແກ່ນ: ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກສູງເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນໄປເຊຍກັນຂອງເມັດ, ເພື່ອຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນໄດ້.

ຊັ້ນການແຜ່ກະຈາຍຂອງອາຍແກັສ: ເພີ່ມປະສິດທິພາບການຖ່າຍທອດໄລຍະອາຍແກັສ, ປັບປຸງຄຸນນະພາບໄປເຊຍກັນດຽວແລະອັດຕາການເຕີບໂຕ.

ການ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ສູງ​ສຸດ​: ບໍ່​ມີ​ການ​ປ່ຽນ​ແປງ softening ຢູ່ 2200 ℃​, ສະ​ຫນັບ​ສະ​ຫນູນ​ຫຼາຍ​ກ​່​ວາ 1000 ຊົ່ວ​ໂມງ​ຂອງ​ການ​ດໍາ​ເນີນ​ງານ​ທີ່​ຫມັ້ນ​ຄົງ​ຕໍ່​ເນື່ອງ​.

ການອອກແບບສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ກໍາຫນົດເອງ: ປະສົມປະສານກັບການຈໍາລອງ CFD ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງ pore gradient, ປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຜລຶກແລະຜົນຜະລິດ.

ການ​ບໍ​ລິ​ການ iteration ໄວ​: ໃຫ້​ການ​ທົດ​ສອບ​ການ​ຈັບ​ຄູ່​ຕົວ​ກໍາ​ນົດ​ການ​ຂະ​ບວນ​ການ​ແລະ​ການ​ຈັດ​ສົ່ງ​ການ​ແກ້​ໄຂ​ຕົ້ນ​ແບບ​ພາຍ​ໃນ 72 ຊົ່ວ​ໂມງ​.